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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IRFBE30L

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：4.1A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 2.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：78nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I2PAK

IRFBE30L，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IRFBE30L

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點(diǎn)擊此處查詢IRFBE30L的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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