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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：IRLI640GPBF

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時電流-連續漏極(Id)：9.9A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 5.9A，5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：66nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：40W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220-3

IRLI640GPBF，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：IRLI640GPBF

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢IRLI640GPBF的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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