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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SI1926DL-T1-BE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：340mA（Ta），370mA（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 340mA，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.4nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：18.5pF @ 30V

功率-最大值：300mW（Ta），510mW（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

SI1926DL-T1-BE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SI1926DL-T1-BE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SI1926DL-T1-BE3的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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