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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SI1965DH-T1-BE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET?

零件狀態：有源

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：12V

25°C時電流-連續漏極(Id)：1.14A（Ta），1.3A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：390 毫歐 @ 1A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.2nC @ 8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：120pF @ 6V

功率-最大值：740mW（Ta），1.25W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

SI1965DH-T1-BE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SI1965DH-T1-BE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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