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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SI4435BDY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8SO

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 9.1A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SO

SI4435BDY-T1-E3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SI4435BDY-T1-E3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 7A 8SO

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SI4435BDY-T1-E3的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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