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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIDR390DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：69.9A（Ta），100A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：0.8 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：153nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：10180pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8DC

SIDR390DP-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIDR390DP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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