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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SIHB33N60ET5-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 33A TO263

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：E

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：33A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 16.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3508pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-263（D2Pak）

SIHB33N60ET5-GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SIHB33N60ET5-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 33A TO263

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SIHB33N60ET5-GE3的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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