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零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SIHH180N60E-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：E

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續漏極(Id)：19A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 9.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1085pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：114W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? 8 x 8

SIHH180N60E-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SIHH180N60E-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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