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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIRA12BDP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：27A（Ta），60A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1470pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），38W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SIRA12BDP-T1-GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：SIRA12BDP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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