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我們為全球各個行業提供Vishay（威世） SISF06DN-T1-GE3及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規格參數

制造商產品型號：SISF06DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：28A（Ta），101A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.5 歐姆 @ 7A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2050pF @ 15V

功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? 1212-8SCD

SISF06DN-T1-GE3，Vishay（威世）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：SISF06DN-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術標準參數：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

點擊此處查詢SISF06DN-T1-GE3的技術規格手冊Datasheet（PDF文件）

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