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零件圖片(僅供參考)
SQM110N05-06L-GE3
規格參數
  • Vishay威世半導體原廠型號:SQM110N05-06L-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  • 系列:TrenchFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):55V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):110A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):110nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4440pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:157W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)
  • SQM110N05-06L-GE3,Vishay(威世)產品一站式供應商。
  • 只為成為您值得信賴的Vishay供應商
    基本參數:
  • 電子零件型號:SQM110N05-06L-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay(威世)
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  • 產品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處查詢SQM110N05-06L-GE3的技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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