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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SQM200N04-1M7L-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：200A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.7 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：291nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：11168pF @ 20V

功率 - 最大值：375W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7

SQM200N04-1M7L-GE3，Vishay（威世）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：SQM200N04-1M7L-GE3

原始制造廠商：Vishay（威世）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

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